本設備主要用于半導體刻蝕，能夠兼容離子束刻蝕和反應離子刻蝕功能，使用氣態化學刻蝕劑與材料產生反應來進行刻蝕，并形成可從襯底上移除的揮發性副產品，通過真空系統排出，特別適合刻蝕熔融石英、硅、光刻膠、聚酷亞胺( PI) 薄膜、金屬等材料。

尺寸：Φ1500mm，Φ2000mm
刻蝕材料：石英、硅、金屬、光刻膠等材料
刻蝕均勻性：2%~8%（光刻膠）
刻蝕速率：50nm~500nm/min真空度（高限）：5x10^-4Pa
氣路MFC：標配6種氣體，耐腐蝕±0.5%FSI
刻蝕表面粗糙增加值：優于0.2nm

本設備可根據客戶技術需求，定制研發生產，具體詳情請電聯我司。